拆机翻新内存将成主流？预计 2027 年占智能手机的 7–9%

内存成本不断上涨，正推动智能手机厂商采用一种少见的元件再利用方式——翻新内存预计到 2027 年会出现在更多设备上。

TrendForce 估计，这种做法在 2026 年将占智能手机的 3–4%，明年市场渗透率会提升到约 7–9%。

这一转变的驱动力是高昂的移动 DRAM 价格：制造成本因此上升，主打价格敏感用户的品牌压力倍增。

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翻新内存为厂商提供更省钱的方案

所谓 reballing（重新植球）内存，是从现有电路板上取下集成电路，再将其原有的焊接连接妥善更换后，为下一次安装做准备。

这些连接依靠芯片底部的小金属球，让芯片与电路板实现电气通信，同时占用极小的空间。

重新植球时，技术人员会清除原有的焊料，处理好接触面，然后装上全新且尺寸合适的替换焊球。

之后该元件就能装到另一块电路板上，不过是否适用取决于它的状态、使用历史以及翻新工艺的质量。

TrendForce 表示，目前回收供应以 4GB LPDDR4X 为主，主要集中在售价低于 1,299 元（约 195 美元）的廉价 4G 手机上。

这一档位的消费者对零售价格外敏感，因此厂商有动力回收可用的旧元件，而不是完全依赖新造的内存。

使用拆机芯片可以降低元件开支，帮助品牌控制涨价幅度，尤其是在消费者已经很难接受更贵机型的时候。

虽然翻新内存目前集中在低端智能手机上，但随着 DRAM 价格持续上涨，厂商可能把它推广到更贵的机型中。

内存成本上升可能扩大这种做法

TrendForce 预计，2027 年第一季度内存价格涨势将加速，本就在应对高企生产成本的厂商将面临更大压力。

这一环境也可能促使企业在更高成本的产品中采用较旧或规格较低的零部件。

即便推广速度加快，回收的内存预计占智能手机年度 LPDRAM 总用量的比例仍较小。

因此，尽管其份额正在扩大，但由于其对整体内存需求贡献有限，不太可能逆转合约价格的上行趋势。

财务收益也伴随着技术顾虑，尤其是当制造商无法确保来自不同供应商和翻新渠道的零部件具备一致的质量时。

反复加热会对电子封装造成应力，而受损的触点或不完善的更换工作可能会影响组件安装到智能手机后的电气性能。

传统重植球工艺依赖加热使焊料熔化，组件制造商通常建议将设备经历此类加热循环的次数限制在三次以内。

基于激光的方法可将热量集中作用于焊球接触点，而非加热整个封装，从而有望减少组件翻新及后续安装过程中的热暴露。

因此，制造商不得不在即时节省与因故障、维修、保修索赔或长期客户不满而产生的潜在成本之间做出权衡。

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