速率达12800Mbps!长鑫存储LPDDR6研发验证进入尾声
2026-08-01 09:59:25 出处:快科技 作者:建嘉 编辑:建嘉 评论(0)复制纠错
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快科技8月1日消息,多家产业链信源同步披露,长鑫存储首款LPDDR6产品的研发验证已接近尾声,向着首发量产迈出了关键一步,在高端移动端内存的前沿技术竞赛中掌握先发主动权。
据悉,LPDDR产品的导入一般有四个重要节点,包括颗粒单体验证、研发验证、小批量导入验证,最后就是进入正式量产阶段,一款手机内存芯片真正在终端侧落地前,需要经历数道严苛考验。
当前长鑫已经走完前期核心验证流程,研发阶段针对软硬件兼容性、整机系统稳定、性能功耗平衡、结构机械耐久等多维度完成极限测试,提前规避芯片量产装车后的各类适配故障,保障终端产品长期稳定运行。

据产业链消息,长鑫存储早在今年3月便已将LPDDR6样品送至核心客户,并有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。
在具体规格上,长鑫首款LPDDR6产品设计速率达到12800 Mbps,与SoC协同运行的基础速率为10667 Mbps;颗粒容量为16Gb,芯片容量达16GB,采用1295 Ball的POP封装。
相较于上一代LPDDR5X产品,其在低功耗设计与RAS(可靠性、可用性和可维护性)功能上均实现了明显的优化提升。
长鑫存储顺利推进LPDDR6验证落地,代表国内存储产业完成历史性转折,正式从高端存储技术跟随者转变为前沿规格领跑者,终结海外存储厂商长期把控移动内存迭代节奏的格局。
依托本土供应链快速定制、就近技术服务的核心优势,长鑫LPDDR6会重塑全球高端移动存储供货结构,为国产旗舰手机、端侧AI硬件供给自主可控的高速内存核心器件,完善移动端半导体国产化链条。

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责任编辑:建嘉
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