美光起诉长江存储:指控其挖角工程师窃取技术并反诉
本月,美光科技(Micron)对中国的 3D NAND 领军企业长江存储(YMTC)提起诉讼,指控其挖角美光的核心工程师,非法获取其 NAND 存储技术诀窍,并利用这些信息研发自有非易失性存储器及构建专利组合。这家总部位于爱达荷州博伊斯的公司进一步指控称,长江存储利用授予前员工的专利,在多个司法辖区起诉美光专利侵权。
为了快速构建覆盖基础技术到先进制造工艺的全面知识产权组合,并确保其专利与其他 3D NAND 厂商的专利重叠,从而对美光发起攻击,该公司声称长江存储采取了一种简单却有效的策略:挖角美光工程师,促使他们申请标准必要专利,或申请与在美光期间从事的工作高度相似的专利。
为了让美光方保持“不知情”,这些前员工以广泛的个人或家庭原因作为离职理由,甚至没有更新其 LinkedIn 个人资料以反映在长江存储的新职位。这些员工在离职后仍负有保密义务,规定他们不得使用、披露或持有美光的机密信息。与此同时,美光并未对其前员工去向进行深入调查,且“没有理由怀疑长江存储本身”计划使用其机密信息,因为“长江存储在行业中没有实质性的市场份额”。
美光(Micron)在最新诉状中的指控远超“前员工将制造经验带到长江存储(YMTC)”这一常见情形。该公司声称,长江存储系统性地从前美光工程师处获取了机密的 3D NAND 及内存技术,并将其应用于自身制造工艺,起始于 64 层 3D NAND 内存产品,而最关键的是,这些技术已被写入其专利组合中。美光表示,正是在 2023 年 11 月长江存储在加州对其提起专利侵权诉讼后,美光才开始察觉这一阴谋——它注意到,多项被用来指控美光专利的专利申请中,发明人竟是前美光工程师。
在诉状中,美光列出了多名前员工,这些人后来成为了长江存储专利的发明人,包括朱红斌、刘军、胡玉诗、陶倩、李昌勋(Changhyun Lee)、宋大锡(Daesik Song)、周文溪和华丹(Hua Tan)。美光称,这些工程师曾接触过多个等级的机密技术,涵盖广泛的 3D NAND 相关知识,包括高深宽比蚀刻、替换栅极工艺、多层互连、柱状结构整形与清洗以及内存 I/O 电路等。