Tower Semiconductor 将向日本业务投入 40 亿美元，打造大型光连接制造基地
据《日经新闻》报道，Tower Semiconductor（高塔半导体）与日本政府计划共同向该公司在日本的业务投资总额 40 亿美元，把当地晶圆厂打造成一个大型光连接半导体制造基地。这一双轨扩张计划将改造一座闲置晶圆厂，同时充分挖掘现有 300mm 工厂的产能，并最终再新建一座 300mm 工厂。到 2029 年，Tower 在日本的产能将提升至相当于每月 45,000 片 300mm 晶圆的水平。
第一阶段：改造与扩产
第一阶段（Track One）包括两项内容：一是把 Tower 位于新潟县新井的闲置 200mm 晶圆厂 Fab 6 改造为生产硅光子（SiPho）和先进光学封装（即将电子集成电路与光子集成电路键合在一起）的 300mm 工厂；二是扩大位于富山县鱼津附近 300mm 工厂 Fab 7 的 SiGe EIC（硅锗电子集成电路）和 SiPho PIC（光子集成电路）产能。
Fab 7 目前已完成全部认证，正在量产多种 SiGe EIC 和 SiPho PIC 产品，采用的工艺技术包括最新的 TPS65SG 以及其他几款 TPS65 系列 65nm 级 SiGe 制程节点，还有 TPS45PHD 45nm 级 SiPho 制造技术。该计划的目标是尽可能大幅提升 Fab 7 的产出，以满足 AI 行业对光引擎日益增长的需求。这种方式让公司可以随着新设备逐步安装到位而渐进式地增加产能，而不必等一座全新的晶圆厂和整套工艺流程完成认证后再投产。
Track One 计划于 2027 年第四季度实现全面量产就绪。Tower 预计，Track One 将在 2028 财年为其带来约 36 亿美元营收和 12 亿美元净利润。
第二阶段：新建晶圆厂
Tower Semiconductor 将向日本业务投入 40 亿美元，以打造庞大的光互连枢纽第二阶段被称为 Track Two，将同步启动，规划更为宏大。Tower 计划在富山县Fab 7 旁边再建一座300mm 晶圆厂，将 SiGe EIC 和 SiPho PIC 的产量提升数倍。届时，Tower 将在日本拥有两座生产 EIC 和 PIC 的工厂，以及一座由 Fab 6 改造而成的光引擎组装厂，利用前述组件进行集成。
预计第二阶段将于 2029 年开始对 Tower 的财务状况产生实质性贡献。
Tower 预计，到 2029 年，其日本产能将达到每月 45,000 片300mm 晶圆当量，约为 2025 年水平的 40 倍，并计划招聘约 200 人。这一项目规模反映了 AI 基础设施中光互连需求的快速增长。据 日经报道，Tower 在服务器用光通信半导体代工市场占据超过 80% 的份额，客户包括 Marvell 等行业领导者，因此亟需扩大规模。
Tower 计划在两条扩展路线中投入 30 亿美元自有资金，日本经济产业省（METI）将另外提供 10 亿美元，使整个项目总投入达到约 40 亿美元。
Tower 承认，Intel、TSMC 和 GlobalFoundries 目前在共封装光学（CPO）领域领先，因此此次日本投资不仅是增加产能，也是为其 CPO 计划铺路。目前，Tower 计划将 CPO 及其前置制造工艺引入其位于富山县乌头的厂区。虽然公司尚未披露其 CPO 路线图的详情，但其最新的 EIC 和 PIC 工艺技术已足以让光学器件更接近计算硅片。
Tower 的日本站点重组
Tower Semiconductor 在日本的大规模扩张计划与其本地制造业务的重组同步进行。但理解变革内容，需要先回顾一段简史。
Tower 早在 2014 年便与松下合作，成立 TowerJazz Panasonic Semiconductor Co.（TPSCo），以 51% 控股股权在日本建立制造基地，松下则持有 49% 股份并投入位于小松、富山和会内的晶圆厂。随着松下在 2020 年退出半导体业务，其所持股份转由联发科日本公司（Nuvoton Technology Corporation Japan，NTCJ）承接。
最关键的资产是小松的 Fab 7，一座 300mm 晶圆厂。Tower 正逐步将其从原松下厂房改造为其核心特色制造基地之一，目前支持 65nm 级 SiGe 和 45nm 级 SiPho 技术。
Tower 与 Nuvoton 现在正实际拆解原 TPSCo 架构。根据 2026 年 3 月宣布、预计 2027 年 4 月完成的协议，Tower 将完全拥有并运营控制 Fab 7 及其 300mm 代工业务，而 Nuvoton 将全权接管 TPSCo 及富山的 Fab 5。与此同时，Tower 正让原会内设施 Fab 6 重焕生机，将其转型为 300mm SiPho 及先进光学封装基地，并计划在 Fab 7 旁边再建一座 300mm 晶圆厂。
简而言之，十多年前 Tower 以相对较低的成本从松下获得日本产能，如今正演变为其自有 300mm SiPho 和 SiGe 主要生产枢纽，预计将使公司产量与营收实现数倍增长。