AI 需求推动下，DRAM 单位面积价值已超越 TSMC N2/N3 晶圆

受 AI 行业需求推动，内存价格已创下历史新高，且短期内不会回落。事实上，据 Kurnal Insights 指出，按单位面积计算，制造内存芯片的成本甚至可能高于采用 TSMC N2 和 N3 工艺加工硅片的成本，而这些工艺主要用于制造计算芯片。虽然这种比较有一定道理，但存在重要前提。

根据媒体泄露的信息，Kurnal Insights 的 Kurnal 认为，使用 TSMC N3 工艺加工的 300 毫米晶圆成本约为 $20,000，折算成面积单价约为 $0.283/mm²。对于 TSMC N2 工艺，该分析师假设晶圆价格高得多，约为 $30,000，折合面积单价约为 $0.424/mm²。这些计算基于非官方信息，且未计入不可用的晶圆边缘、切割、测试结构、缺陷或良率等因素，因此应被视为晶圆标称面积价格，而非实际可用硅片的成本。

DRAM 的计算方式有所不同。Kurnal 假设 DRAM 价格为每 Gb $1.50，然后乘以不同世代产品的位密度。对于 1y DRAM，其密度为 0.219 Gb/mm²，成本约为 $0.329/mm²；1z DRAM 密度为 0.273 Gb/mm²，成本约为 $0.410/mm²；1b DRAM 密度为 0.436 Gb/mm²，成本高达 $0.654/mm²，远高于 N2 晶圆 $0.424/mm² 的标称值。

这里有一个关键区别。N2 和 N3 的数字代表 TSMC 假设向客户收取的晶圆加工费用，而 DRAM 的数字则代表硅片每平方毫米内包含的内存潜在销售价值，从而展示了在假设内存价格下，DRAM 制造商理论上能从特定芯片面积获得的营收。

有趣的是，Kurnal Insights 提出的 $1.50/Gb 假设与当前 DDR5 eTT 内存的现货价格几乎完全吻合。根据 DRAMeXchange 数据，9月21日 16Gb DDR5 eTT 芯片的日均成交价为 $24.80，相当于 $1.55/Gb。按此价格计算，密度为 0.436 Gb/mm² 的 1b DRAM 价值约为 $0.676/mm²，仅比 Kurnal 估算的 $0.654/mm² 高出 3%。

不言而喻，生产 DDR5 内存的成本远低于使用 TSMC N3 工艺制造逻辑芯片。然而，由于 DRAM 供应短缺，内存厂商获得的芯片溢价已远超历史水平。

这一对比存在几个重要前提，使得直接比较并非完全同口径。上述计算未包含封装成本，而逻辑芯片通常需要更昂贵的封装工艺。此外，TSMC 基于订单合约生产，加工晶圆的实际价格取决于出货量、客户及商业条款等因素。因此，将 TSMC 晶圆的估算价格与 DRAM 现货价格直接对比，并不完全公平。甚至 TrendForce 也指出，DDR5 的现货采购量依然有限，交易零星发生，这意味着现货价格未必能反映 Micron、Samsung 和 SK hynix 销售大部分 DRAM 时实际采用的价格。