报道称长鑫存储（CXMT）在北京二厂建设 3D NAND 研发线
最新报道指出，中国DRAM领军企业长鑫存储（CXMT）正瞄准3D NAND闪存的生产。据路透社援引三位知情人士的消息，CXMT计划在北京附近的第二座晶圆厂建设一条3D NAND研发生产线。目前尚不清楚该实验产线何时能投入运行，但鉴于CXMT北京二号厂尚未动工，这条产线至少还要两到三年才能建成。此外，据一位消息人士透露，这家内存制造商还在北京设立了一家研究院，NAND闪存开发是其研究项目之一。由于CXMT尚未正式确认任何3D NAND计划，该消息的准确性有待验证。
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目前，关于 CXMT 3D NAND 架构、活动层数量、工艺制程、预期性能及产能等细节尚无公开信息。不过，该报告称 CXMT 已与潜在客户就其 NAND 业务规划展开洽谈。据称，其中一家客户是一家新成立的公司，计划将 CXMT 生产的 NAND 器件用于面向 AI 和超算应用的存储产品中。
尚不确定 CXMT 的 3D NAND 项目最终能否顺利推进至大规模量产，但若成真，这一举措将使 CXMT 跳出其传统的 DRAM 专精领域，直接踏入 YMTC（长江存储）的核心市场。过去，中国这两大存储厂商一直各自专注于一块地盘——YMTC 主攻 3D NAND，CXMT 主攻 DRAM——且都已取得相当成功。然而，眼下两家公司的动向显示，它们都意图打造 DRAM 与 NAND 的一站式供应体系，对标 Micron、Samsung 和 SK hynix 这些更大的竞争对手——据悉，YMTC 也正在探索 DRAM 生产。
尽管从业务多元化的角度看，CXMT 建设 3D NAND 产线的计划似乎合乎逻辑，但当前来看，这一布局在商业上并不算特别合理。
或许是出于中国产业政策考量？
CXMT 是中国主导的 DRAM 生产商，在连年亏损后，今年上半年终于实现了 224.1 亿美元 的营收和 115.7 亿美元 的净利润。尽管业绩表现亮眼，但该公司的体量依然远小于存储行业的“三巨头”，这意味着它在自身已有的经验、工艺制程、晶圆厂和客户资源所在的领域内仍有巨大的扩张空间。此外，AI 的发展趋势也为 CXMT 提供了将资源集中投入到 先进 DRAM 以及 HBM3E 的充分理由，这些产品 arguably 比通用型 3D NAND 更具战略价值。
话虽如此，对 CXMT 来说，把资源投入 3D NAND 并没有太大经济意义——这项业务需要完全不同的制程技术、制造经验和设备。但从中国政府的视角看，把 CXMT 打造为国内第二家大型 3D NAND 生产商，几乎完全契合其半导体自给自足的战略规划。 CXMT 由合肥市政府出资创立（IPO 时政府持股 37%），并获得国家大基金的支持，这意味着中央和地方政府对公司保持控制力，可以左右其战略决策——事实也正是如此。至于 CXMT 能否真正成为一家像样的 3D NAND 厂商，那就是另一个问题了。