铠侠欲用全球最快SSD替代昂贵DRAM，缓解AI时代的内存危机
- 铠侠正将闪存技术拓展至 DRAM 应用场景
- AI 工作负载迫使数据中心重新审视内存扩容方式
- 铠侠 XL1 可在无需同步扩充 DRAM 的情况下增加存储容量
铠侠正在开发旨在降低数据中心对昂贵 DRAM 依赖的闪存产品，以应对 AI 工作负载对内存容量日益增长的需求。
这家日本存储厂商计划将更快的 NAND 技术与专为高负载 AI 系统打造的新接口相结合，以满足其处理海量可访问数据的需求。
其技术路线涵盖基于 PCIe 6.0 的SSD 以及 CXL 内存扩展技术，尽管该公司并未宣称这些产品能完全取代 DRAM。
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铠侠目前正展示其 GP1 系列 PCIe 6.0 NVMe SSD，该系列专为 AI 基础设施环境中极高的输入输出操作场景设计。
这些驱动器支持GPU与存储设备之间的直接通信，有望在高强度计算任务中减少通过传统系统通道传输的数据量。
PCIe 6.0 技术或将成为焦点，因为其接口带宽远超许多数据中心 SSD 当前使用的上一代协议。
该公司还展示了 CM10 系列企业级 SSD 和支持液冷技术的 NX1 系列数据中心硬盘。
CM10 系列基于铠侠第十代 BiCS FLASH 技术，而 NX1 系列则采用 E1.S 设计并支持 PCIe 5.0 连接。
这些产品主要面向那些日益重视性能提升与热管理优化的数据中心环境，这些因素如今正在塑造存储架构的决策。
铠侠认为，将部分工作负载迁移至闪存存储，有助于缓解当前全球内存供应链面临的容量短缺和成本上涨压力。
XL1 系列旨在连接 DRAM 与存储
据《日经亚洲》报道，Kioxia 计划使用高速 NAND 闪存直接替代传统 DRAM 内存。
Kioxia 最显著的进展是 XL1 系列，这是一款基于其 XL FLASH 技术构建的 CXL 兼容内存扩展模块，旨在降低延迟。
该模块计划通过 PCIe 链路传输数据，采用 CXL 接口以实现接近内存访问的速度。
CXL 技术使内存设备能更紧密地连接处理器，从而在不让所有数据都驻留在 DRAM 中的情况下，扩展存储容量。
Kioxia表示，将高速 NAND 与 CXL 控制模块结合使用，可将数据读取延迟降至传统 NAND 产品的十分之一以内。
该公司将 XL1 定位为介于传统 DRAM 和普通 SSD 存储设备之间的性能与成本平衡点。
Kioxia 指出，用 CXL 模块替换系统中部分 DRAM，可使内存容量翻倍，同时提升 30% 的性能。
这一区别至关重要，因为 NAND 闪存的固有速度仍慢于 DRAM，若全面替换，将在对延迟敏感的应用场景中造成性能下降。
预计该评估版硬件将于 2026 年 8 月交付给技术合作伙伴，以便潜在客户评估该技术。
Kioxia 计划在加州圣克拉拉举行的 FMS 2026 会议上，通过演讲、技术专场及现场演示来推介这些技术。
其整体战略侧重于补充现有 DRAM，而非将其从 AI 服务器的内存配置中完全移除。
